氧化锌半导体未来发展趋势如何？ 氧化锌是一种极具潜性的宽禁带直接带隙半导体材料（~3.37 eV，室温下），其激子束缚能高达60 meV，远高于GaN（约25 meV），这使得它在室温下也能实现高效的激子发光，因此在光电器件领域备受瞩目。（图片来源网络，侵删） 尽管潜力巨大,ZnO的商业化进程却相对缓慢，其核心挑战在于高质量、重复...
